IXYH40N120B3备选型号: STGWA40M120DF3
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- 最大功率耗散
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- JESD-30代码
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- 输入类型
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- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 反向恢复时间
- IGBT类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 达到SVHC
- IGBT 1200V 96A 577W TO24728 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON1.2kV-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2012活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定577WSINGLE3R-PSFM-T3SINGLECOLLECTORStandard22 ns577W电源控制N-CHANNEL2.9V96ATO-247AD1200V84 ns2.9V @ 15V, 40A411 ns87nC200A22ns/177ns2.7mJ (on), 1.6mJ (off)ROHS3 Compliant无铅--------------
- STMICROELECTRONICS STGWA40M120DF3 IGBT Single Transistor, 80 A, 1.85 V, 468 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins30 Weeks通孔通孔TO-247-3-1.2kV-55°C~175°C TJTube--活跃1 (Unlimited)--468W-----Standard-468W-N-CHANNEL1.2kV80A-1200V-2.3V @ 15V, 40A-125nC160A35ns/140ns1.03mJ (on), 480μJ (off)ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)338.000013g1.85VEAR99未说明未说明STGWA40Single355 ns沟渠现场停车20V7V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB25N120FL3WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 100A TO247 | 对比 | |
![]() | APT35GP120BG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 96A 543W TO247 | 对比 |
![]() | APT35GP120B2DQ2G | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 Variant | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 96A 3-Pin(3 Tab) T-MAX | 对比 |






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