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首页 全部分类 IXYH40N90C3D1 vs IRGP4263DPBF

IXYH40N90C3D1备选型号: IRGP4263DPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 上升时间-最大值
  • 功率 - 最大
  • 最大下降时间 (tf)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYH40N90C3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    900V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    500W
    Single
    500W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    900V
    90A
    100ns
    TO-247AD
    81 ns
    2.5V @ 15V, 40A
    237 ns
    74nC
    180A
    27ns/78ns
    1.9mJ (on), 1mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4263DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 650V 90A 325W TO-247
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    650V
    1.7V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2001
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    325W
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2.1V
    90A
    170 ns
    -
    -
    2.1V @ 15V, 48A
    -
    145nC
    192A
    70ns/140ns
    2.9mJ (on), 1.4mJ (off)
    20V
    7.7V
    符合RoHS标准
    无铅
    EAR99
    80ns
    325W
    50ns
    无SVHC
    无
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