IXYH40N90C3D1备选型号: STGW60H65FB
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 元素配置
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- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- JEDEC-95代码
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- ECCN 代码
- 基本部件号
- IGBT类型
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- IGBT Transistors XPT 900V IGBT GenX3 XPT IGBT28 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON900V2.2V-55°C~150°C TJTubeGenX3™, XPT™2013活跃1 (Unlimited)3500WSingle500WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL900V90A100nsTO-247AD81 ns2.5V @ 15V, 40A237 ns74nC180A27ns/78ns1.9mJ (on), 1mJ (off)20V5.5VROHS3 Compliant无铅--------
- IGBT Transistors 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT20 Weeks通孔通孔TO-247-33-650V1.6V-55°C~175°C TJTube--活跃1 (Unlimited)-375WSingle375W-Standard--650V80A---2.3V @ 15V, 60A-306nC240A51ns/160ns1.09mJ (on), 626μJ (off)--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)EAR99STGW60沟渠现场停车20.15mm15.75mm5.15mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRGP4263DPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 650V 90A 325W TO-247 | 对比 |
![]() | IXGH50N90B2D1 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247AD | 对比 |
![]() | APT43GA90BD30 | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 900V 78A 337W TO247 | 对比 |






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