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IXYH50N65C3备选型号: IXXH80N65B4

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功率 - 最大
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
IGBT类型
闸门收费
集极脉冲电流（Icm）
Td（开/关）@25°C
开关能量
RoHS状态
功率耗散

IXYH50N65C3

IXYS

IGBT 650V 130A 600W TO247

28 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
38.000013g
650V
1.74V
-55°C~175°C TJ
Tube
GenX3™, XPT™
2013
活跃
1 (Unlimited)
600W
Single
Standard
600W
2.1V
130A
2.1V @ 15V, 36A
PT
80nC
250A
22ns/80ns
1.3mJ (on), 370μJ (off)
ROHS3 Compliant
-
IXXH80N65B4

IXYS

IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

28 Weeks
通孔
通孔
TO-247-3
-
650V
1.65V
-55°C~175°C TJ
Tube
GenX4™, XPT™
2015
活跃
1 (Unlimited)
625W
Single
Standard
-
2V
160A
2V @ 15V, 80A
PT
120nC
430A
38ns/120ns
3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
ROHS3 Compliant
625W
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