Microsemi Corporation APT45GR65B
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APT45GR65B
1619-APT45GR65B
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT 650V 92A 357W TO-247
--最小包装量--
APT45GR65B详情
Microsemi Corporation APT45GR65B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
35 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
质量
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Test Conditions
433V, 45A, 4.3 Ω, 15V
包装
Tube
已出版
2001
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
357W
元素配置
Single
输入类型
Standard
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
2.4V
最大集电极电流
92A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.4V @ 15V, 45A
连续集电极电流
118A
IGBT类型
NPT
闸门收费
203nC
集极脉冲电流(Icm)
168A
Td(开/关)@25°C
15ns/100ns
开关能量
900μJ (on), 580μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
30V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6.5V
高度
5.31mm
长度
21.46mm
宽度
16.26mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
APT45GR65B拓展信息
Microsemi Corporation
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