IXYP20N120C3备选型号: IXYP30N120C3
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 接通延迟时间
- IGBT Transistors GenX3 1200V XPT IGBT24 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON1.2kV4V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2013活跃1 (Unlimited)3雪崩 额定278W未说明unknown未说明IXY*20N120Single278WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV40ATO-220AB1200V60 ns3.4V @ 15V, 20A220 ns53nC96A20ns/90ns1.3mJ (on), 500μJ (off)20V5V16mm10.66mm4.82mmROHS3 Compliant无铅-
- IGBT Transistors GenX3 1200V XPT IGBT24 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON1.2kV3.7V-55°C~175°C TJTubeGenX3™, XPT™2012活跃1 (Unlimited)3-416W----Single500WCOLLECTORStandard电源控制N-CHANNEL1.2kV75ATO-220AB1200V71 ns3.3V @ 15V, 30A296 ns69nC145A19ns/130ns2.6mJ (on), 1.1mJ (off)20V5V16mm10.66mm4.83mmROHS3 Compliant无铅23 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXGP24N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 1200V 48A 250W TO220 | 对比 |
![]() | IXYP30N120C3 | IXYS | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors GenX3 1200V XPT IGBT | 对比 |
![]() | IHP10T120 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 1200V 16A 138W TO220-3 | 对比 |




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