IXYS IXGP24N120C3

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

2.299997g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.6V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 20A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

PURE TIN

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

250W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*24N120

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

250W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

4.2V

最大集电极电流

48A

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

41 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

4.2V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

430 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

79nC

集极脉冲电流（Icm）

96A

Td（开/关）@25°C

16ns/93ns

开关能量

1.16mJ (on), 470μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant