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首页 全部分类 IXYX100N65B3D1 vs IXXH80N65B4H1

IXYX100N65B3D1备选型号: IXXH80N65B4H1

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无铅
  • IXYS
    IXYX100N65B3D1
    IXYS
    IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    830W
    Standard
    830W
    1.85V
    225A
    156 ns
    1.85V @ 15V, 70A
    PT
    168nC
    460A
    29ns/150ns
    1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXH80N65B4H1
    IXYS
    IGBT Transistors 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    650V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX4™, XPT™
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    625W
    Standard
    -
    2V
    160A
    150ns
    2V @ 15V, 80A
    PT
    120nC
    430A
    38ns/120ns
    3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
    ROHS3 Compliant
    1.65V
    Single
    625W
    无铅
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