您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IXYY8N90C3 vs IKD10N60RFATMA1

IXYY8N90C3备选型号: IKD10N60RFATMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 无卤素
  • 反向恢复时间
  • 最大击穿电压
  • IGBT类型
  • 无铅
  • IXYS
    IXYY8N90C3
    IXYS
    IGBT Transistors 900V 8A 2.5V XPT IGBTs GenX3
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3.949996g
    SILICON
    900V
    2.5V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    雪崩 额定
    125W
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    125W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.5V
    20A
    TO-252AA
    39 ns
    2.5V @ 15V, 8A
    238 ns
    13.3nC
    48A
    16ns/40ns
    460μJ (on), 180μJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKD10N60RFATMA1
    Infineon Technologies
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    600V
    -
    -40°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    TrenchStop®
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150W
    -
    -
    -
    Single
    -
    Standard
    150W
    -
    N-CHANNEL
    600V
    20A
    -
    -
    2.5V @ 15V, 10A
    -
    64nC
    30A
    12ns/168ns
    190μJ (on), 160μJ (off)
    20V
    5.7V
    ROHS3 Compliant
    no
    未说明
    未说明
    *KD10N60
    无卤素
    72 ns
    600V
    沟渠现场停车
    含铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STGD7NC60HT4 STGD7NC60HT4 STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 N CH IGBT, PowerMESH, 600V, 25A, DPAK - More Details 对比
STGD10NC60HT4 STGD10NC60HT4 STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比
IRG4RC20FTRPBF IRG4RC20FTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 22A 66W DPAK 对比