IKD10N60RFATMA1
IKD10N60RFATMA1

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Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1

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型号

IKD10N60RFATMA1

utmel 编号

1211-IKD10N60RFATMA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252

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IKD10N60RFATMA1
IKD10N60RFATMA1 Infineon Technologies Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252

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IKD10N60RFATMA1详情

Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Test Conditions

    400V, 10A, 26 Ω, 15V

  • 操作温度

    -40°C~175°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    TrenchStop®

  • 已出版

    2008

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    150W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    *KD10N60

  • 元素配置

    Single

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    150W

  • 无卤素

    无卤素

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    20A

  • 反向恢复时间

    72 ns

  • 最大击穿电压

    600V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.5V @ 15V, 10A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    64nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    30A

  • Td(开/关)@25°C

    12ns/168ns

  • 开关能量

    190μJ (on), 160μJ (off)

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5.7V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

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技术文档: Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1.

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IKD10N60RFATMA1相似的参数规格。

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IKD10N60RFATMA1拓展信息

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