注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.187458
10
¥6.780621
100
¥6.396812
500
¥6.034729
1000
¥5.693141
Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1
- 收藏
- 对比
IKD10N60RFATMA1
1211-IKD10N60RFATMA1
晶体管 - IGBT - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IKD10N60RFATMA1详情
Infineon Technologies IKD10N60RFATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 10A, 26 Ω, 15V
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchStop®
已出版
2008
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
150W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
*KD10N60
元素配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
150W
无卤素
无卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
20A
反向恢复时间
72 ns
最大击穿电压
600V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 10A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
64nC
集极脉冲电流(Icm)
30A
Td(开/关)@25°C
12ns/168ns
开关能量
190μJ (on), 160μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5.7V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IKD10N60RFATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。