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首页 全部分类 J112G vs J112-D26Z

J112G备选型号: J112-D26Z

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  • 安装类型
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)
  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
  • 电阻-RDS(On)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 电压
  • 电流
  • 功率耗散
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • ON Semiconductor
    J112G
    ON Semiconductor
    JFET N-CH 35V 0.35W TO92
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    NO
    3
    453.59237mg
    SILICON
    -35V
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e1
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    8541.21.00.95
    35V
    350mW
    BOTTOM
    260
    50mA
    40
    J112
    3
    Single
    DEPLETION MODE
    N-Channel
    CHOPPER
    35V
    -35V
    50Ohm
    JUNCTION
    5 pF
    5mA @ 15V
    1V @ 1μA
    50Ohm
    6.35mm
    19.05mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    J112-D26Z
    ON Semiconductor
    JFET Transistor, JFET, -35 V, 5 mA, -5 V, TO-226AA, JFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    -
    3
    200.998119mg
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    35V
    625mW
    BOTTOM
    -
    50mA
    -
    J112
    -
    Single
    DEPLETION MODE
    N-Channel
    SWITCHING
    35V
    -35V
    -
    JUNCTION
    5 pF
    5mA @ 15V
    1V @ 1μA
    50Ohm
    -
    -
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    35V
    5A
    625mW
    5mA
    7pF
    50Ohm
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