ON Semiconductor J112-D26Z

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

200.998119mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

35V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

额定电流

50mA

基本部件号

J112

电压

35V

元素配置

Single

电流

5A

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

625mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

35V

连续放电电流(ID)

5mA

栅极至源极电压(Vgs)

-35V

输入电容

7pF

场效应管技术

JUNCTION

漏源电阻

50Ohm

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

1V @ 1μA

电阻-RDS(On)

50Ohm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅