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JAN2N5416S备选型号: BC638TA

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 最大集极截止电流
  • JEDEC-95代码
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Microsemi Corporation
    JAN2N5416S
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-39
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    3
    SILICON
    1A
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/485
    2007
    e0
    no
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.21.00.95
    750mW
    BOTTOM
    WIRE
    3
    MIL-19500/485H
    O-MBCY-W4
    Qualified
    SINGLE
    COLLECTOR
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    300V
    1A
    30 @ 50mA 10V
    1mA
    TO-5
    2V @ 5mA, 50mA
    350V
    10000ns
    1000ns
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BC638TA
    ON Semiconductor
    BC638 Series PNP 60 V 1 W Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    SILICON
    60V
    150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    -
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    1W
    BOTTOM
    -
    -
    -
    -
    不合格
    -
    -
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    60V
    1A
    40 @ 150mA 2V
    100nA ICBO
    -
    500mV @ 50mA, 500mA
    -60V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    Tin
    240mg
    -500mV
    -60V
    未说明
    -1A
    100MHz
    未说明
    BC638
    Single
    1W
    100MHz
    100MHz
    60V
    -5V
    4.58mm
    4.58mm
    3.86mm
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