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JAN2N5416S备选型号: ZTX605
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- JEDEC-95代码
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 集电极基极电压(VCBO)
- 关断时间-最大值（toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 转换频率
- 频率转换
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-3922 Weeks通孔通孔TO-205AD, TO-39-3 Metal Can3SILICON1A-65°C~200°C TJBulkMilitary, MIL-PRF-19500/4852007e0noDiscontinued1 (Unlimited)4EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)8541.21.00.95750mWBOTTOMWIRE3MIL-19500/485HO-MBCY-W4QualifiedSINGLECOLLECTORSWITCHINGPNPPNP300V1A30 @ 50mA 10V1mATO-52V @ 5mA, 50mA350V10000ns1000ns无Non-RoHS Compliant含铅------------------
Trans Darlington NPN 120V 1A 3-Pin E-Line15 Weeks通孔通孔E-Line-33SILICON120V-55°C~200°C TJBulk-1997e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)-1W-WIRE3-------NPN - Darlington120V1A2000 @ 1A 5V10μA-1.5V @ 1mA, 1A140V--无ROHS3 Compliant无铅453.59237mg1V120V2601A40ZTX605NPNSingle1W150MHz150MHz10V1A4.01mm4.77mm2.41mm无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PN2222ATFR | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS NPN 40V 1A TO-92 CASE | 对比 |
| BC638TA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | BC638 Series PNP 60 V 1 W Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3 | 对比 |
| ZTX605 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | E-Line-3 | Trans Darlington NPN 120V 1A 3-Pin E-Line | 对比 |
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