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首页 全部分类 JAN2N6676 vs TTC5200(Q)

JAN2N6676备选型号: TTC5200(Q)

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  • 晶体管类型
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 频率
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    JAN2N6676
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 300V 15A 3-Pin(2 Tab) TO-3
    IN PRODUCTION (Last Updated: 4 weeks ago)
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    3
    SILICON
    15A
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/538
    2002
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    8541.29.00.95
    6W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    2
    MIL
    O-MBFM-P2
    Qualified
    SINGLE
    COLLECTOR
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    300V
    15A
    15 @ 1A 3V
    1mA
    1V @ 3A, 15A
    15MHz
    450V
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TTC5200(Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3 Tab) TO-3PL
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-3PL
    3
    -
    230V
    150°C TJ
    Tray
    -
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    150W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    230V
    15A
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    -
    230V
    无
    符合RoHS标准
    3V
    30MHz
    Single
    150W
    30MHz
    5V
    26mm
    20.5mm
    5.2mm
    无铅
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