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JAN2N7335备选型号: ULN2003A

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  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 极性
  • 配置
  • 通道数量
  • 输出电流
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • VCEsat-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    JAN2N7335
    Microsemi Corporation
    MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/599
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.4W
    Qualified
    1.4W
    4 P-Channel
    1.4 Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 250μA
    100V
    750mA
    Standard
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    ULN2003A
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS - ULN2003A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP
    通孔
    通孔
    16-DIP (0.300, 7.62mm)
    -40°C~85°C TA
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2.25W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    Gold
    16
    1.627801g
    SILICON
    50V
    1.1V
    e3
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    50V
    DUAL
    500mA
    ULN2003
    16
    50V
    NPN
    COMPLEX
    7
    500mA
    SWITCHING
    7 NPN Darlington
    50V
    500mA
    1000 @ 350mA 2V
    50μA
    1.6V @ 500μA, 350mA
    1.6 V
    4.59mm
    20mm
    7.1mm
    无SVHC
    无
    无铅
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