JAN2N7335备选型号: ULN2065B

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 资历状况
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 极性
  • 通道数量
  • 输出电流
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 输入特性
  • 接口IC类型
  • 驱动程序位数
  • 接通时间
  • 关断时间
  • 连续集电极电流
  • 内置保护器
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
    通孔
    通孔
    14-DIP (0.300, 7.62mm)
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/599
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.4W
    Qualified
    1.4W
    4 P-Channel
    1.4 Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 250μA
    100V
    750mA
    Standard
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS ULN2065B Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 80 V, 4.3 W, 1.5 A, DIP
    通孔
    通孔
    16-PowerDIP (0.300, 7.62mm)
    -20°C~85°C TA
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4.3W
    -
    1W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    13 Weeks
    Tin
    16
    1.627801g
    80V
    1.5V
    e3
    16
    EAR99
    50V
    DUAL
    4
    1.5A
    ULN206
    16
    80V
    NPN
    4
    1.75A
    4 NPN Darlington (Quad)
    80V
    1.75A
    1.5V @ 2.25mA, 1.5A
    STANDARD
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    4
    1 µs
    1.5 µs
    1.5A
    TRANSIENT
    4.59mm
    20mm
    7.1mm
    无SVHC
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ULN2003A ULN2003A STMicroelectronics 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 16-DIP (0.300, 7.62mm) STMICROELECTRONICS - ULN2003A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP 对比
ULN2065B ULN2065B STMicroelectronics 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 16-PowerDIP (0.300, 7.62mm) STMICROELECTRONICS ULN2065B Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 80 V, 4.3 W, 1.5 A, DIP 对比
FTCO3V455A1 FTCO3V455A1 ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 19-PowerDIP Module MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE 对比