JAN2N7335备选型号: ULN2004A
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最大功率耗散
- 资历状况
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出电压
- 极性
- 配置
- 通道数量
- 输出电流
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- VCEsat-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB通孔通孔14-DIP (0.300, 7.62mm)-55°C~150°C TJBulkMilitary, MIL-PRF-19500/5991997Obsolete1 (Unlimited)1.4WQualified1.4W4 P-Channel1.4 Ω @ 500mA, 10V4V @ 250μA100V750mAStandardNon-RoHS Compliant-----------------------------------
- STMICROELECTRONICS ULN2004A. Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 500 mA, 1000 hFE, DIP通孔通孔16-DIP (0.300, 7.62mm)-40°C~85°C TATube--活跃1 (Unlimited)---------ROHS3 Compliant15 WeeksGold161.627801gSILICON50V1.1Ve416EAR99逻辑电平兼容50VDUAL500mAULN20041650VNPNCOMPLEX7500mASWITCHING7 NPN Darlington50V500mA1000 @ 350mA 2V50μA1.6V @ 500μA, 350mA1.6 V4.59mm20mm7.1mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ULN2003A | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-DIP (0.300, 7.62mm) | STMICROELECTRONICS - ULN2003A - Bipolares Transistor-Array, Darlington, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIP | 对比 |
![]() | ULN2065B | STMicroelectronics | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-PowerDIP (0.300, 7.62mm) | STMICROELECTRONICS ULN2065B Bipolar Transistor Array, Darlington, NPN, 80 V, 4.3 W, 1.5 A, DIP | 对比 |
| FTCO3V455A1 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 19-PowerDIP Module | MOSFET 6N-CH 40V 150A MODULE | 对比 |



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