JANTX2N2432备选型号: BC557BTF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- ECCN 代码
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-18IN PRODUCTION (Last Updated: 2 days ago)通孔通孔TO-206AA, TO-18-3 Metal Can3SILICON1-65°C~175°C TJBulkMilitary, MIL-PRF-19500/3132007e0noDiscontinued1 (Unlimited)3Tin/Lead (Sn/Pb)8541.21.00.95300mWBOTTOMWIRE3MIL-19500/268CQualifiedSINGLECOLLECTOR300mWSWITCHINGNPNNPN30V100mA80 @ 1mA 5V10nA0.15mV @ 500μA, 10V20MHz30V55ns75ns无Non-RoHS Compliant---------------------
- 50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon TransistorACTIVE (Last Updated: 4 days ago)通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3SILICON45V150°C TJTape & Reel (TR)-2007e3yes活跃1 (Unlimited)3--500mWBOTTOM---不合格---SWITCHINGPNPPNP45V100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA150MHz-50V---ROHS3 Compliant7 WeeksTin240mg-250mVEAR99-45V未说明-100mA150MHz未说明BC557Single500mW150MHz45V-5V5.33mm5.2mm4.19mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC557BTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor | 对比 |
![]() | BC556BTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS PNP 65V 0.1A TO-92 | 对比 |



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