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首页 全部分类 JANTX2N6760 vs FDA38N30

JANTX2N6760备选型号: FDA38N30

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  • 参考标准
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  • 资历状况
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    JANTX2N6760
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
    36 Weeks
    TO-204AA, TO-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    4W Ta 75W Tc
    Military, MIL-PRF-19500/542
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    1997
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    MIL-19500
    O-MBFM-P2
    Qualified
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.22 Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    39nC @ 10V
    400V
    ±20V
    5.5A
    22A
    400V
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDA38N30
    ON Semiconductor
    MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET
    4 Weeks
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    38A Tc
    UniFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    85m Ω @ 19A, 10V
    5V @ 250μA
    60nC @ 10V
    -
    ±30V
    38A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    3
    6.401g
    EAR99
    85MOhm
    Single
    312W
    53 ns
    2600pF @ 25V
    110ns
    54 ns
    5V
    30V
    300V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    无铅
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