JANTX2N6760备选型号: IRFP150A

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH TO-204AA TO-3
    36 Weeks
    TO-204AA, TO-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    4W Ta 75W Tc
    Military, MIL-PRF-19500/542
    Bulk
    -55°C~150°C TJ
    1997
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    not_compliant
    未说明
    2
    MIL-19500
    O-MBFM-P2
    Qualified
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.22 Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    39nC @ 10V
    400V
    ±20V
    5.5A
    22A
    400V
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 100V N-Channel A-FET
    7 Weeks
    TO-3P-3, SC-65-3
    通孔
    通孔
    SILICON
    43A Tc
    -
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    1997
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 21.5A, 10V
    4V @ 250μA
    97nC @ 10V
    -
    -
    43A
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    3
    6.401g
    EAR99
    40MOhm
    Single
    193W
    17 ns
    2270pF @ 25V
    20ns
    45 ns
    20V
    100V
    740 mJ
    无铅
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