JANTX2N6762备选型号: IRFP150A
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- ECCN 代码
- 电阻
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH TO-204AA TO-3通孔通孔TO-204AA, TO-3SILICON4.5A Tc-55°C~150°C TJBulkMilitary, MIL-PRF-19500/5421997e0noObsolete1 (Unlimited)2Tin/Lead (Sn/Pb)BOTTOMPIN/PEG未说明not_compliant未说明2MIL-19500O-MBFM-P2QualifiedSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.8 Ω @ 4.5A, 10V4V @ 250μA40nC @ 10V500V±20V4.5A18A500VNon-RoHS Compliant-----------------
- MOSFET 100V N-Channel A-FET通孔通孔TO-3P-3, SC-65-3SILICON43A Tc-55°C~175°C TJTube-1997e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3Tin (Sn)----------增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING40m Ω @ 21.5A, 10V4V @ 250μA97nC @ 10V--43A--ROHS3 CompliantACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)7 Weeks36.401gEAR9940MOhmSingle193W17 ns2270pF @ 25V20ns45 ns20V100V740 mJ无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDA38N30 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET | 对比 | |
| FGA20S120M | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-3P-3, SC-65-3 | IGBT 1200V 40A 348W TO3PN | 对比 | |
| 2N5884 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-204AA, TO-3 | TRANS PNP 80V 25A TO3 | 对比 |



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