ON Semiconductor FGA20S120M

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

质量

6.401g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.55V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

348W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

348W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

40A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

301 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

865 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

208nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

高度

20.1mm

长度

15.8mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准