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JANTX2N7228U备选型号: IPB50R250CPATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 最大双电源电压
- 无铅
MOSFET N-CH表面贴装表面贴装TO-267AB3SILICON12A Tc4V @ 250μA-55°C~150°C TJBulkMilitary, MIL-PRF-19500/5921997e0noObsolete1 (Unlimited)3Tin/Lead (Sn/Pb)HIGH RELIABILITY8541.29.00.95BOTTOM无铅未说明未说明MIL-19500QualifiedSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING515m Ω @ 12A, 10V120nC @ 10V500V±20V12ATO-276AB20V0.515Ohm48A500V750 mJNon-RoHS Compliant----------
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB4SILICON13A Tc3.5V @ 520μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2008-noObsolete1 (Unlimited)2---SINGLE鸥翼未说明未说明-不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING250m Ω @ 7.8A, 10V36nC @ 10V550V±20V13A-20V0.25Ohm--345 mJ符合RoHS标准8 WeeksR-PSSO-G2114W35 ns无卤素1420pF @ 100V14ns11 ns500V含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | IPD50R380CEAUMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 | 对比 |
 | STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK | 对比 |
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