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首页 全部分类 KSA1625KBU vs 2N6519BU

KSA1625KBU备选型号: 2N6519BU

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • ON Semiconductor
    KSA1625KBU
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    400V
    150°C TJ
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -400V
    750mW
    -500mA
    10MHz
    Single
    750mW
    10MHz
    PNP
    1V
    500mA
    100 @ 50mA 5V
    1μA ICBO
    1V @ 10mA, 100mA
    -400V
    -7V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N6519BU
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 300V 0.5A TO-92
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    3
    300V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -300V
    625mW
    -500mA
    200MHz
    Single
    625W
    200MHz
    PNP
    300V
    500mA
    40 @ 50mA 10V
    50nA ICBO
    1V @ 5mA, 50mA
    300V
    5V
    符合RoHS标准
    无铅
    2N6519
    625mW
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