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1

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500

￥0.675676
1000

￥0.563068
2000

￥0.51657
5000

￥0.482779
10000

￥0.449099
15000

￥0.43433
50000

￥0.427072

ON Semiconductor KSA1625KBU

Name: KSA1625KBU
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-KSA1625KBU
Price: 0.92 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

KSA1625KBU

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-KSA1625KBU

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

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KSA1625KBU ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk

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KSA1625KBU详情

技术参数

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ON Semiconductor KSA1625KBU重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V
Number of Elements

1
hFEMin

40
操作温度

150°C TJ
包装

Bulk
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电压 - 额定直流

-400V
最大功率耗散

750mW
额定电流

-500mA
频率

10MHz
元素配置

Single
功率耗散

750mW
增益带宽积

10MHz
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

1V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA 5V
最大集极截止电流

1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 10mA, 100mA
集电极基极电压(VCBO)

-400V
发射极基极电压 (VEBO)

-7V
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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KSA1625KBU拓展信息

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