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KSA812LMTF备选型号: BC857C-7-F
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3330mg50V-180mV150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)-50V150mW-100mA180MHzKSA812Single150mW180MHzPNP300mV100mA300 @ 1mA 6V100nA ICBO300mV @ 10mA, 100mA-60V-5V符合RoHS标准无铅------------------------
DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-337.994566mg45V-650mV-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-45V300mW-100mA200MHzBC857CSingle350mW200MHzPNP45V100mA420 @ 2mA 5V15nA650mV @ 5mA, 100mA50V5VROHS3 Compliant无铅19 WeeksTinSILICON2008e3yes3SMD/SMTEAR99DUAL鸥翼260403300mWSWITCHINGPNP200MHz45V1mm3.05mm1.4mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| KSA812GMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.1A SOT-23 | 对比 |
| BC856B-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| BC857C-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. - BC857C-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFE | 对比 |
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