KSD1616ALTA备选型号: KSD1616AYTA
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor6 WeeksLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)通孔通孔3240mgSILICON60V300mV2004Tape & Box (TB)150°C TJe3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)60V750mWBOTTOM1A160MHzKSD1616Single750mWSWITCHING160MHzNPNNPN60V1A300 @ 100mA 2V100nA ICBO300mV @ 50mA, 1A160MHz60V120V6V4.19mm5.2mm5.33mmROHS3 Compliant无无铅
- Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor7 WeeksACTIVE (Last Updated: 4 days ago)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)通孔通孔3240mgSILICON60V300mV2004Tape & Box (TB)150°C TJe3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)60V750mWBOTTOM1A160MHzKSD1616Single750mWSWITCHING160MHzNPNNPN60V1A135 @ 100mA 2V100nA ICBO300mV @ 50mA, 1A160MHz60V120V6V4.19mm5.2mm5.33mmROHS3 Compliant无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSD1616AYTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
![]() | KSD1616GTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS NPN 50V 1A TO-92 | 对比 |



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