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价格梯度

内地含税价

1

￥1.282758
10

￥1.210146
100

￥1.141647
500

￥1.077029
1000

￥1.016064

ON Semiconductor KSD1616ALTA

Name: KSD1616ALTA
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-KSD1616ALTA
Price: 1.28 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

KSD1616ALTA

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-KSD1616ALTA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

起订量

--最小包装量--

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KSD1616ALTA ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor

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KSD1616ALTA详情

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型号对比

ON Semiconductor KSD1616ALTA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

6 Weeks
生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型

通孔
底架

通孔
引脚数

3
质量

240mg
晶体管元件材料

SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V
Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV
hFEMin

135
Number of Elements

1
已出版

2004
包装

Tape & Box (TB)
操作温度

150°C TJ
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
电压 - 额定直流

60V
最大功率耗散

750mW
端子位置

BOTTOM
额定电流

1A
频率

160MHz
基本部件号

KSD1616
元素配置

Single
功率耗散

750mW
晶体管应用

SWITCHING
增益带宽积

160MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

60V
最大集电极电流

1A
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 1A
转换频率

160MHz
最大击穿电压

60V
集电极基极电压(VCBO)

120V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
宽度

4.19mm
长度

5.2mm
高度

5.33mm
RoHS状态

ROHS3 Compliant
辐射硬化

无
无铅

无铅

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KSD1616ALTA拓展信息

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