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首页 全部分类 KSD986YSTSSTU vs KSE182STU

KSD986YSTSSTU备选型号: KSE182STU

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  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管类型
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  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 频率
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 频率转换
  • ON Semiconductor
    KSD986YSTSSTU
    ON Semiconductor
    TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    758mg
    80V
    1.5V
    150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    80V
    1W
    1.5A
    NPN
    Single
    NPN - Darlington
    80V
    1.5A
    8000 @ 1A 2V
    10μA ICBO
    1.5V @ 1mA, 1A
    150V
    8V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    KSE182STU
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 80V 3A 3-Pin(3 Tab) TO-126 Rail
    通孔
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    -
    80V
    -
    150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    80V
    1.5W
    3A
    -
    Single
    NPN
    80V
    3A
    50 @ 100mA 1V
    100nA ICBO
    1.7V @ 600mA, 3A
    100V
    7V
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    3
    50MHz
    1.5W
    50MHz
    500MHz
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KSE13003H3ASTU KSE13003H3ASTU ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-225AA, TO-126-3 TRANS NPN 400V 1.5A TO-126 对比