ON Semiconductor KSE182STU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

1.5W

额定电流

3A

频率

50MHz

元素配置

Single

功率耗散

1.5W

增益带宽积

50MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.7V @ 600mA, 3A

频率转换

500MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅