KSH210TM备选型号: 2SA2097(TE16L1,NQ)

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
    6 Weeks
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    260.37mg
    SILICON
    45
    2002
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    1.4W
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    KSH210
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    1.4W
    PNP
    PNP
    1.8V
    5A
    45 @ 2A 1V
    100nA ICBO
    1.8V @ 1A, 5A
    65MHz
    25V
    65MHz
    -40V
    -8V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 50V 5A 3-Pin(2 Tab) New PW-Mold T/R
    -
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    SILICON
    50V
    2013
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    1W
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    -
    PNP
    PNP
    270mV
    5A
    200 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    270mV @ 53mA, 1.6A
    -
    -
    -
    50V
    7V
    -
    符合RoHS标准
    1W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    无铅
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