KSH31CTM备选型号: KSH112GTM
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 极性
- 频率转换
- 连续集电极电流
- TRANS NPN 100V 3A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633100V1.2V150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)100V1.56W3A3MHzKSH31Single1.56W3MHzNPN100V3A10 @ 3A 4V50μA1.2V @ 375mA, 3A100V5V无符合RoHS标准无铅---
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-100V2V150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)100V1.75W2A-KSH112Single20W-NPN - Darlington100V2A1000 @ 2A 3V20μA3V @ 40mA, 4A100V5V-符合RoHS标准无铅NPN25MHz2A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSH112GTM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK | 对比 |
![]() | KSH44H11TM | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil | 对比 |
![]() | MJD243T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS NPN 100V 4A DPAK | 对比 |




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