L6384ED备选型号: AUIRS2004S
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出电压
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 通道数量
- 电源电流
- 功率耗散
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 驱动器数量
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 已出版
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源
- 输出电流
- 内置保护器
- 座位高度(最大)
- Driver 600V 0.65A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SO N TubeACTIVE (Last Updated: 7 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-45°C~125°C TJTubee4活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)750mW14.6V~16.6VDUAL鸥翼114.4V400kHzL63848580V650mA15.6V125mA750mW25mA300 nsInverting200 ns50ns30 ns50ns 30nsSynchronous20.65AIGBT, N-Channel MOSFET400mA 650mAYES0.3 µs600V1.25mm4.9mm3.9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-40°C~150°C TJTubee3Obsolete3 (168 Hours)8EAR99Matte Tin (Sn)625mW10V~20VDUAL鸥翼115V-AUIRS2004S--600mA---625mW-880 nsNon-Inverting150 ns220ns170 ns160ns 70nsSynchronous2-IGBT, N-Channel MOSFET290mA 600mA--200V-4.9mm3.9mm无SVHC无符合RoHS标准-Automotive, AEC-Q10019992603015V130mATRANSIENT; UNDER VOLTAGE1.75mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TC1410EOA | Microchip Technology | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC MOSFET DVR .5A HS INV 8SOIC | 对比 |
| NCP5109ADR2G | ON Semiconductor | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
![]() | AUIRS2004S | Infineon Technologies | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC | 对比 |





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