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首页 全部分类 LET9060 vs IRF8721PBF

LET9060备选型号: IRF8721PBF

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  • ECCN 代码
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 配置
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  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 系列
  • 已出版
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    LET9060
    STMicroelectronics
    IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10
    表面贴装
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
    3
    1
    Tube
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    165°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    95W
    DUAL
    鸥翼
    12A
    960MHz
    LET9060
    10
    R-PDSO-G2
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    300mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    12A
    17.2dB
    80V
    60W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF8721PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    14A Ta
    Tube
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    14A
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    39 Weeks
    表面贴装
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    2007
    8.5MOhm
    Single
    2.5W
    8.2 ns
    N-Channel
    8.5m Ω @ 14A, 10V
    2.35V @ 25μA
    1040pF @ 15V
    12nC @ 4.5V
    11ns
    ±20V
    7 ns
    2.35V
    20V
    30V
    21 ns
    2.35 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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IRF8721PBF IRF8721PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC 对比