STMicroelectronics LET9060
- 收藏
- 对比
LET9060
2381-LET9060
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
大陆
立即发货

IC RF POWER MOSFET N-CH PWRSO10
--最小包装量--
LET9060详情
STMicroelectronics LET9060重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
引脚数
3
Number of Elements
1
Voltage Rated
80V
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
165°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
95W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
12A
频率
960MHz
基本部件号
LET9060
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
300mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
12A
增益
17.2dB
DS 击穿电压-最小值
80V
功率 - 输出
60W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LET9060拓展信息
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics










哦! 它是空的。