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首页 全部分类 LM13700M vs NE5517DR2G

LM13700M备选型号: NE5517DR2G

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  • 输出电流
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  • 增益带宽积
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  • 统一增益 BW-（标准值）
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  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
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  • 表面安装
  • 质量
  • 已出版
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  • 电路数量
  • 功率耗散
  • 最大输入电压
  • 无卤素
  • 电源类型
  • 标称增益带宽积
  • 高度
  • 宽度
  • Texas Instruments
    LM13700M
    Texas Instruments
    IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    D(R-PDSO-G16)
    2
    0°C~70°C
    Tube
    e0
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    RAIL
    DUAL
    鸥翼
    235
    2
    15V
    30
    LM13700
    16
    Push-Pull
    18V
    +-15V
    2.6mA
    2.6mA
    20mA
    50V/μs
    Transconductance
    80 dB
    1μA
    10V~36V ±5V~18V
    650μA
    4mV
    2MHz
    -15V
    2000 kHz
    8μA
    NO
    YES
    300μV
    5μA
    9.9mm
    1.75mm
    无
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NE5517DR2G
    ON Semiconductor
    IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC
    -
    表面贴装
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    16
    -
    2
    0°C~70°C
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    -
    TAPE AND REEL
    -
    鸥翼
    260
    2
    15V
    40
    NE5517
    16
    Push-Pull
    30V
    +-15V
    2.6mA
    -
    350μA
    50V/μs
    Transconductance
    80 dB
    400nA
    4V~44V ±2V~22V
    650μA
    5mV
    -
    -15V
    2000 kHz
    8μA
    NO
    YES
    400μV
    5μA
    10mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    Tin
    YES
    665.986997mg
    2006
    yes
    1.125W
    2
    1.125W
    -3V
    无卤素
    Dual, Single
    2MHz
    1.5mm
    4mm
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