ON Semiconductor NE5517DR2G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

引脚数

16

质量

665.986997mg

Number of Elements

2

操作温度

0°C~70°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

16

ECCN 代码

EAR99

包装方式

TAPE AND REEL

最大功率耗散

1.125W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

2

电源电压

15V

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

NE5517

引脚数量

16

输出类型

Push-Pull

工作电源电压

30V

电源

+-15V

电路数量

2

工作电源电流

2.6mA

功率耗散

1.125W

输出电流

350μA

压摆率

50V/μs

放大器类型

Transconductance

共模拒绝率

80 dB

输入偏正电流

400nA

最大输入电压

-3V

电压 - 电源，单/双路（±）

4V~44V ±2V~22V

无卤素

无卤素

每个通道的输出电流

650μA

电源类型

Dual, Single

输入失调电压(Vos)

5mV

负电源电压(Vsup)

-15V

统一增益 BW-（标准值）

2000 kHz

平均偏置电流-最大值 (IIB)

8μA

低偏移

NO

频率补偿

YES

电压 - 输入断态

400μV

最大偏置电流 (IIB) @25C

5μA

标称增益带宽积

2MHz

高度

1.5mm

长度

10mm

宽度

4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅