LM5113SDX/NOPB备选型号: LM5110-3SD/NOPB
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- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输出的数量
- 资历状况
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 电源
- 电源电流
- 输出电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 输出特性
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 输出极性
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 接通时间
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 引脚数量
- 最大电源电流
- 静态电流
- 接口IC类型
- 输出峰值电流限制-名
- 内置保护器
- 辐射硬化
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSONACTIVE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装表面贴装10-WDFN Exposed Pad10Half-Bridge-40°C~125°C TJCut Tape (CT)e3yes不用于新设计1 (Unlimited)10EAR99Matte Tin (Sn)4.5V~5.5VDUAL无铅26015V0.8mm未说明LM51132不合格5A5V5V100μA5A30 nsNon-Inverting2 nsOPEN-DRAIN4ns4 nsTRUE7ns 1.5nsIndependent0.045 µsN-Channel MOSFET1.2A 5AYES0.045 µs107V800μm4mm4mm750μmROHS3 Compliant无铅--------
- IC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSONACTIVE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装表面贴装10-WDFN Exposed Pad10Low-Side-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)10EAR99Matte Tin (Sn)3.5V~14VDUAL-260112V0.8mm-LM51102-5A--2mA5A40 nsInverting, Non-Inverting40 ns-25ns25 ns-14ns 12nsIndependent0.04 µsN-Channel MOSFET3A 5A-0.04 µs-800μm4mm4mm750μmROHS3 Compliant无铅6 Weeks102mA1mA基于缓冲器或反相器的外设驱动器5AUNDER VOLTAGE无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LM5113SD/NOPB | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 10-WDFN Exposed Pad | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON | 对比 |
![]() | LM5110-3SD/NOPB | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 10-WDFN Exposed Pad | IC GATE DRVR LOW-SIDE 10WSON | 对比 |




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