注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥28.790349
10
¥27.160703
100
¥25.623309
500
¥24.172928
1000
¥22.804651
Texas Instruments LM5113SDX/NOPB
- 收藏
- 对比
LM5113SDX/NOPB
2502-LM5113SDX/NOPB
PMIC - 栅极驱动器
10-WDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
LM5113SDX/NOPB详情
Texas Instruments LM5113SDX/NOPB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
10-WDFN Exposed Pad
引脚数
10
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
1.76V 1.89V
Turn Off Delay Time
2 ns
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 供电
4.5V~5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
5V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
LM5113
输出的数量
2
资历状况
不合格
最大输出电流
5A
工作电源电压
5V
电源
5V
电源电流
100μA
输出电流
5A
传播延迟
30 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
2 ns
输出特性
OPEN-DRAIN
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
4 ns
输出极性
TRUE
上升/下降时间(Typ)
7ns 1.5ns
信道型
Independent
接通时间
0.045 µs
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1.2A 5A
高边驱动器
YES
关断时间
0.045 µs
高压侧电压-最大值(自举)
107V
高度
800μm
长度
4mm
宽度
4mm
器件厚度
750μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LM5113SDX/NOPB拓展信息
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments








哦! 它是空的。