M29W320EB70ZE6E备选型号: M29DW323DB70ZE6E
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 电源
- 电压
- 内存大小
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 同步/异步
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 准备就绪/忙碌
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- MICRON M29W320EB70ZE6E MEMORY, FLASH, NOR, 32MB, B/B, 48TFBGACopper, Silver, Tin表面贴装48-TFBGAYES48Non-Volatile-40°C~85°C TATray2009e1yesObsolete3 (168 Hours)48SMD/SMT3A991.B.1.ATin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)底部启动区块8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM26013V0.8mm30M29W320483/3.3V2.7V32Mb 4M x 8 2M x 1610mAFLASHParallel2MX161670ns32 Mb0.0001A70 nsAsynchronous8YESYESYES8638K64KYESBOTTOMYES8mm1.2mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅
- MICRON M29DW323DB70ZE6E MEMORY, FLASH, NOR, 32MB, B/B, 48TFBGA-表面贴装48-TFBGAYES48Non-Volatile-40°C~85°C TATray2004e1yesObsolete3 (168 Hours)48SMD/SMT3A991.B.1.ATin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)底部启动区块8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM26013V0.8mm30M29DW323483/3.3V2.7V32Mb 4M x 8 2M x 1610mAFLASHParallel2MX161670ns32 Mb0.0001A70 nsAsynchronous8YESYESYES8638K64KYESBOTTOMYES8mm1.2mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant-
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | M29DW323DB70ZE6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | MICRON M29DW323DB70ZE6E MEMORY, FLASH, NOR, 32MB, B/B, 48TFBGA | 对比 |
![]() | M29W320ET70ZE6E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFBGA | MICRON M29W320ET70ZE6EFlash Memory, Boot Block, NOR, 32 Mbit, 4M x 8bit / 2M x 16bit, CFI, Parallel, TFBGA, 48 Pins | 对比 |
![]() | SST39VF800A-70-4C-B3KE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFBGA | MICROCHIP SST39VF800A-70-4C-B3KE MEMORY, FLASH, 8M, MPF, 48TFBGA | 对比 |




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