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MBR1035G备选型号: MBR1035

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  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
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  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 底架
  • ON Semiconductor
    MBR1035G
    ON Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2
    2 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    TO-220-2
    通孔
    Tin
    2
    TO-220-2
    4.535924g
    35V
    2001
    SWITCHMODE™
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -65°C
    35V
    10A
    MBR1035
    Standard
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    100μA @ 35V
    10A
    840mV @ 20A
    10A
    100μA
    -65°C~175°C
    150A
    35V
    10A
    840mV
    35V
    10A
    100μA
    35V
    150A
    150A
    4.826mm
    10.287mm
    15.748mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    MBR1035
    ON Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2
    -
    OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
    TO-220-2
    通孔
    -
    2
    TO-220-2
    -
    -
    2006
    SWITCHMODE™
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -65°C
    35V
    10A
    MBR1035
    Standard
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    100μA @ 35V
    10A
    840mV @ 20A
    10A
    100μA
    -65°C~175°C
    150A
    35V
    10A
    840mV
    35V
    10A
    100μA
    35V
    150A
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    无
    -
    无铅
    通孔
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