ON Semiconductor MBR1035G
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MBR1035G
1807-MBR1035G
二极管 - 整流器 - 单
TO-220-2
大陆
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DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2
--最小包装量--
MBR1035G详情
ON Semiconductor MBR1035G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
2 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
包装/外壳
TO-220-2
安装类型
通孔
触点镀层
Tin
引脚数
2
供应商器件包装
TO-220-2
质量
4.535924g
Breakdown Voltage / V
35V
已出版
2001
系列
SWITCHMODE™
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
35V
额定电流
10A
基本部件号
MBR1035
极性
Standard
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
100μA @ 35V
输出电流
10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
840mV @ 20A
正向电流
10A
最大反向漏电电流
100μA
工作温度 - 结点
-65°C~175°C
最大浪涌电流
150A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
35V
平均整流电流(Io)
10A
正向电压
840mV
最大反向电压(DC)
35V
平均整流电流
10A
峰值反向电流
100μA
最大重复反向电压(Vrrm)
35V
峰值非恢复性浪涌电流
150A
最大正向浪涌电流(Ifsm)
150A
宽度
4.826mm
长度
10.287mm
高度
15.748mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
MBR1035G拓展信息
ON Semiconductor
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