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首页 全部分类 MBR200150CTR vs MBRP20030CTL

MBR200150CTR备选型号: MBRP20030CTL

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  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
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  • Reach合规守则
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 最大反向漏电电流
  • 最大浪涌电流
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    MBR200150CTR
    GeneSiC Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER
    PRODUCTION (Last Updated: 5 months ago)
    6 Weeks
    底座安装
    底座安装
    双塔
    SILICON
    2
    Bulk
    2016
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    POWER
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-PUFM-X2
    共阳极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    3mA @ 150V
    880mV @ 100A
    -55°C~150°C
    150V
    100A
    1
    1500A
    1 Pair Common Anode
    3000μA
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBRP20030CTL
    ON Semiconductor
    Diode Schottky 30V 200A 3-Pin POWER TAP II Tray
    -
    -
    底座安装
    底座安装
    Powertap II
    SILICON
    30V
    Tray
    2004
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    UPPER
    UNSPECIFIED
    R-PUFM-X2
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    5mA @ 30V
    600mV @ 200A
    -
    30V
    100A
    1
    1500A
    1 Pair Common Cathode
    -
    Non-RoHS Compliant
    3
    SWITCHMODE™
    EAR99
    Nickel (Ni)
    150°C
    -55°C
    FREE WHEELING DIODE, UL RECOGNIZED
    8541.10.00.80
    30V
    260
    not_compliant
    200A
    40
    2
    不合格
    5mA
    1.5kA
    含铅
  • 添加型号
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