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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥652.326533
10
¥615.402393
100
¥580.568289
500
¥547.705934
1000
¥516.703717
GeneSiC Semiconductor MBRT200100
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- 对比
MBRT200100
962-MBRT200100
二极管 - 整流器 - 阵列
Three Tower
大陆
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Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MBRT200100详情
GeneSiC Semiconductor MBRT200100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
PRODUCTION (Last Updated: 4 months ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
三塔
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
包装
Bulk
已出版
2010
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
应用
POWER
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PUFM-X3
元素配置
共阴极
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
1mA @ 20V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
880mV @ 100A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
200A
最大反向漏电电流
1μA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
1.5kA
输出电流-最大值
100A
平均整流电流(Io)
200A DC
最大反向电压(DC)
100V
平均整流电流
200A
相位的数量
1
峰值反向电流
1A
最大重复反向电压(Vrrm)
100V
二极管配置
1 Pair Common Cathode
RoHS状态
符合RoHS标准
MBRT200100拓展信息
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor






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