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MBR20200CTTU备选型号: MBR2560CT

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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • HTS代码
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
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  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • JEDEC-95代码
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 二极管配置
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • ON Semiconductor
    MBR20200CTTU
    ON Semiconductor
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO220
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    2
    Tube
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    EFFICIENCY
    低功率损耗
    8541.10.00.80
    SINGLE
    MBR20200CT
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    200μA @ 200V
    800mV @ 10A
    20A
    200μA
    150°C Max
    150A
    1V
    200V
    10A
    1
    200μA
    200V
    TO-220AB
    150A
    1 Pair Common Cathode
    150A
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MBR2560CT
    ON Semiconductor
    In a Pack of 10, ON Semi 60V 25A, Dual Schottky Diode, 3-Pin TO-220AB MBR2560CT
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    -
    -
    Tube
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150°C
    -65°C
    -
    -
    -
    -
    MBR2560CT
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    1mA @ 60V
    750mV @ 12.5A
    25A
    200μA
    -65°C~150°C
    200A
    820mV
    60V
    30A
    -
    200μA
    60V
    -
    200A
    1 Pair Common Cathode
    200A
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-220-3
    60V
    30A
    60V
    12.5A
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