MBT35200MT2G备选型号: PMEM4020ND,115

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  • 功率 - 最大
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 频率转换
  • 最大耗散功率(Abs)
  • ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    35V
    Tape & Reel (TR)
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1W
    MBT35200
    Single
    625mW
    100MHz
    PNP
    35V
    2A
    100 @ 1.5A 1.5V
    100nA
    310mV @ 20mA, 2A
    55V
    5V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    TRANS NPN 40V 0.95A 6TSOP
    -
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    950mA
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    PMEM4020N
    -
    600mW
    -
    NPN + Diode (Isolated)
    -
    -
    300 @ 500mA 5V
    100nA
    400mV @ 200mA, 2A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    150°C TJ
    e3
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    鸥翼
    260
    unknown
    40
    6
    R-PDSO-G6
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    SWITCHING
    NPN
    40V
    150MHz
    1W
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