ON Semiconductor MBT35200MT2G

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

MBT35200

元素配置

Single

功率 - 最大

625mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

35V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 1.5A 1.5V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

310mV @ 20mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

55V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准