MCH6202-TL-E备选型号: MCH6541-TL-E
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 转换频率
- 发射极基极电压 (VEBO)
- TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)2 Weeks表面贴装6-SMD, Flat Leads630V150°C TJTape & Reel (TR)2005e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)1WMCH620261WNPN225mV1.5A200 @ 100mA 2V100nA ICBO225mV @ 15mA, 750mA30V500MHz40V无ROHS3 Compliant无铅----------
- Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 0.7A 550MW 6-PIN Mcph T/rACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)6 Weeks表面贴装6-SMD, Flat Leads630V150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)550mW-6550mWNPN, PNP190mV700mA300 @ 50mA 2V / 200 @ 10mA 2V100nA ICBO190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA30V540MHZ 520MHz-30V无ROHS3 Compliant无铅YESSILICON-110mV6NPN, PNPDualSWITCHING520MHz540MHz-5V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6541-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | Trans Gp Bjt Npn/pnp 30V 0.7A 550MW 6-PIN Mcph T/r | 对比 | |
| MCH6542-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 6-SMD, Flat Leads | TRANS NPN/PNP 30V 0.3A 6MCPH | 对比 | |
| US6X6TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 6-SMD, Flat Leads | TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6 | 对比 |


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