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首页 全部分类 MCH6336-S-TL-E vs NTHD3133PFT1G

MCH6336-S-TL-E备选型号: NTHD3133PFT1G

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  • 漏源击穿电压
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MCH6336-S-TL-E
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    3
    Tape & Reel (TR)
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.5W
    -5A
    -12V
    43mOhm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD3133PFT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    1.1W
    -4.4A
    20V
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    SILICON
    3.2A Tj
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    C 弯管
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5.8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    80m Ω @ 3.2A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    680pF @ 10V
    7.4nC @ 4.5V
    11.7ns
    ±8V
    11.7 ns
    8V
    3.2A
    Schottky Diode (Isolated)
    无
    无铅
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